一种电子束光刻制备亚微米闪耀光栅压印模板及其方法

摘要

本发明公开了一种电子束光刻制备亚微米闪耀光栅压印模板及其方法，属于半导体技术领域，其特征在于，包括：S1、在片源上涂胶；S2、电子束曝光；S3、显影；S4、SEM表征；S5、制作曝光版图；S6、Beamer软件模拟曝光剂量；S7、二次涂胶；S8、二次电子束曝光；S9、二次显影；S10、坚膜；S11、ICP刻蚀；S12、去胶。本发明提出一种可以制备周期<500nm，闪耀角曲率半径<10nm的闪耀光栅压模板的方法，并且周期在100nm到500nm之间和闪耀角在10°到50°之间可以连续调节。