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氮化铝单晶衬底的表面处理方法及紫外发光二极管的制备方法

摘要

本申请提供一种氮化铝单晶衬底的表面处理方法及紫外发光二极管的制备方法,属于半导体发光器件技术领域。氮化铝单晶衬底的表面处理方法包括:在氮化铝单晶衬底的表面形成铝层;然后进行退火处理去除铝层,使得氮化铝单晶衬底的表面在去除铝层后获得铝极性面。紫外发光二极管的制备方法包括:采用如上述的表面处理方法对氮化铝单晶衬底进行表面处理;然后在铝极性面外延生长二极管外延结构,能有效改善紫外发光二极管的功率衰减问题。

著录项

  • 公开/公告号CN114093753A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 松山湖材料实验室;

    申请/专利号CN202111338947.X

  • 申请日2021-11-12

  • 分类号H01L21/02(20060101);H01L33/32(20100101);H01L33/00(20100101);

  • 代理机构11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人吕露

  • 地址 523830 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋

  • 入库时间 2023-06-19 14:15:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 专利申请号:202111338947X 申请日:20211112

    实质审查的生效

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