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公开/公告号CN114093753A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-25
原文格式PDF
申请/专利权人 松山湖材料实验室;
申请/专利号CN202111338947.X
发明设计人 王新强;袁冶;刘上锋;李泰;康俊杰;罗巍;万文婷;
申请日2021-11-12
分类号H01L21/02(20060101);H01L33/32(20100101);H01L33/00(20100101);
代理机构11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人吕露
地址 523830 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
入库时间 2023-06-19 14:15:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 专利申请号:202111338947X 申请日:20211112
实质审查的生效
机译: 包括在氧化铝单晶衬底的表面上形成的超导薄膜的超导体以及在氧化铝单晶衬底的表面上形成超导薄膜的方法
机译: 单晶SiC衬底和单晶SiC衬底的SiC表面处理方法
机译: 单晶SiC衬底的表面处理方法及单晶SiC衬底
机译:大功率氮化铝衬底上的高功率紫外C发光二极管的可制造性
机译:由块状氮化铝衬底上的拟晶层构成的中紫外发光二极管的性能
机译:ZnO衬底上的氮掺杂Mg_xZn_(1-x)O / ZnO异质结构紫外发光二极管
机译:在块状氮化铝衬底上的拟形紫外发光二极管中可靠的mW级功率的开发
机译:通过金属有机气相外延在蓝宝石和块状氮化铝衬底上生长的掺硅氮化铝镓和紫外发光二极管的复合动力学
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:高效单银纳米线/ p-GaN衬底基于肖特基结的紫外发光二极管
机译:多孔siC衬底发光二极管及其制备方法。