基于体氮化铝衬底的垂直结构紫外发光二极管及制备方法

摘要

本发明公开了体氮化铝衬底的垂直结构高效发光二极管及制备方法，主要解决传统LED位错密度高，电流拥挤效应严重，器件发光效率低的问题。其包括：n型AlN层(1)、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层(2)、p型AlN层(3)、n型电极(4)和p型电极(5)，其特征在于：n型AlN层(1)、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层(2)和p型AlN层(3)自下而上分布，n型电极(4)设在n型AlN层(1)的下表面，p型电极(5)设在p型AlN层(3)的上表面，形成垂直层间结构，以消除电流拥挤效应。本发明提高了发光效率，可用来制备高效率的紫外和深紫外发光器件。