基于谐振腔效应的近紫外垂直结构LED光萃取效率优化

摘要

利用有限时域差分法研究近紫外垂直结构LED的光萃取效率的影响因素.结果显示,LED的光萃取效率随p-GaN层厚度的变化呈周期性振荡变化,在极大值点处的光萃取效率是极小值点处的4.8倍.进一步地,对上述振荡极大值点和极小值点的n-GaN层厚度和表面光子晶体结构进行优化,优化的光萃取效率分别达到35.3％和24.7％,比优化前各提高了37.9％和280％.因此,合理的外延层和光子晶体结构可有效提高近紫外垂直结构LED的光萃取效率,这对实验制备高效近紫外垂直结构LED芯片具有一定的指导作用.