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非易失性存储器件及其缺陷存储单元块的检测方法

摘要

一种由非易失性存储系统检测存储单元块中的缺陷存储单元块的方法包括:在执行擦除操作之后,基于与读参考电压不同的截止单元检测电压,对目标存储单元块中包括的至少一些存储单元执行读操作,该读参考电压将没有写入数据的截止单元与写入有数据的接通单元区分开;基于执行读操作的结果,对存储单元中具有比截止单元检测电压高的阈值电压的硬截止单元的数量进行计数;以及基于所计数的硬截止单元的数量,识别目标存储单元块是否是缺陷存储单元块。

著录项

  • 公开/公告号CN114078545A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN202110634867.2

  • 发明设计人 李明南;金大汉;郑原宅;

    申请日2021-06-07

  • 分类号G11C16/34(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人倪斌

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-06-19 14:14:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-07-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/34 专利申请号:2021106348672 申请日:20210607

    实质审查的生效

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