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公开/公告号CN114078545A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-22
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN202110634867.2
发明设计人 李明南;金大汉;郑原宅;
申请日2021-06-07
分类号G11C16/34(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人倪斌
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 14:14:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-07-25
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/34 专利申请号:2021106348672 申请日:20210607
实质审查的生效
机译: 非易失性半导体存储器件,非易失性半导体存储器件集成系统和缺陷块检测方法
机译: 通过选择性地测试块冗余存储单元块,能够容易地区分缺陷存储单元的位置的半导体存储器件
机译:ZnO非易失性存储器件中的负电阻表征和缺陷陷阱探测
机译:通过直接和浮栅技术测量从非易失性浮动薄隧道氧化物存储器件中的超低水平陷阱辅助泄漏电流提取的缺陷的空间和能量分布
机译:对有机高分子存储器件中带有金属薄层的非易失性存储器件中载流子行为的研究
机译:Nanoprobing在嵌入式非易失性存储器件中的微妙缺陷中的应用
机译:6H碳化硅中双极非易失性随机存取存储单元的分析和优化
机译:低功耗非易失性器件应用中还原氧化石墨烯存储单元的电阻切换行为
机译:非易失性多态存储器件相变存储单元电路模型的开发
机译:非易失性和低温兼容的量子存储器件(QumEm)。