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抗蚀剂组合物纯化品的制造方法、抗蚀剂图案形成方法、及抗蚀剂组合物纯化品

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抗蚀剂组合物纯化品的制造方法,其包括工序(ⅰ)，即利用具有相邻的球状孔室彼此连通的多孔质结构的过滤器对抗蚀剂组合物进行过滤，上述过滤器具备多孔质膜，所述多孔质膜含有选自由聚酰亚胺及聚酰胺酰亚胺组成的组中的至少一种树脂，上述抗蚀剂组合物含有对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的基材成分(A)、鎓盐、和有机溶剂成分(S)，上述有机溶剂成分(S)的含量为97质量％以上。

著录项

公开/公告号CN114008525A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-01

原文格式PDF
申请/专利权人东京应化工业株式会社;
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申请/专利号CN202080044627.0
发明设计人中田明彦;安部未来;斋藤弘树;
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申请日2020-05-20
分类号G03F7/004(20060101);G03F7/039(20060101);B01D61/58(20060101);B01D69/00(20060101);B01D69/02(20060101);B01D69/12(20060101);B01D71/64(20060101);G03F7/26(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人牛蔚然
地址日本神奈川县
入库时间 2023-06-19 14:05:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-02-22

实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/004 专利申请号:2020800446270 申请日:20200520

实质审查的生效

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1. 抗蚀剂组合物纯化品的制造方法、抗蚀剂图案形成方法、及抗蚀剂组合物纯化品 [P] . 中国专利： CN114008525A . 2022-02-01
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机译：化合物，其制造方法，组成，光学部件形成用组合物，光刻用膜形成用组合物，抗蚀剂组合物，抗蚀剂图案形成方法，放射线敏感性组合物，非晶膜的制造方法，光刻用下层，成膜材料，形成用组合物用于光刻的底层膜，用于光刻的底层膜的制造方法，抗蚀剂图案形成方法，电路图案形成方法和纯化方法
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机译：化合物，树脂，抗蚀剂组合物或辐射敏感组合物，抗蚀剂图案形成方法，无定形膜制造方法，光刻底层膜形成材料，光刻底层膜形成组合物，电路图案形成方法和纯化。方法
5. Compound, resin, resist composition or radiation sensitive composition, resist pattern forming method, amorphous film manufacturing method, lithography lower layer film forming material, lithography lower layer film forming composition, circuit pattern forming method, and purification Method [P] . 日本专利： JPWO2017043561A1 . 2018-08-09

机译：化合物，树脂，抗蚀剂组合物或放射线敏感性组合物，抗蚀剂图案形成方法，非晶膜制造方法，光刻下层膜形成材料，光刻下层膜形成组合物，电路图案形成方法和纯化方法