一种基于先进中道制程的功率半导体封装结构及工艺

摘要

本发明公开了一种基于先进中道制程的功率半导体封装结构及工艺，属于功率半导体封装技术领域，解决了功率器件封装可靠性差的问题，本发明包括：在晶圆上化学镀出芯片电极上凸块后划片；经划片后将芯粒按固定位置贴装在玻璃基板上；对玻璃基板用环氧树脂做注模，表面平坦化处理，正面研磨暴露出镍凸块面；对玻璃基板整体表面蒸镀铝层；通过黄光刻蚀铝技术制作出再布线层；采用丝网印刷液态环氧树脂，露出封装体上焊盘位置并固化；在封装体焊盘位置化学镀镍金凸块；剥离玻璃基板，从玻璃基板背面开始研磨露出芯粒背面；芯粒的背面注环氧树脂黑膜；环氧树脂注模后的背面进行激光打标；切割分离封装好的芯片。本发明用于功率半导体的封装制造。