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一种功率半导体器件的封装结构及其封装工艺

摘要

一种功率半导体器件的封装结构及其封装工艺,属于功率半导体器件封装技术领域,该功率半导体器件的封装结构,包括封装体以及封装体内部由芯片、键合线、电路载体、引脚组成的内部电路和散热基板,芯片与引脚通过键合线连接,内部电路通过电路载体与散热基板实现绝缘隔离,本发明的有益效果是,其中的封装结构实现了功率半导体器件的内部绝缘,省去了应用安装时需要加装绝缘片的环节,提高了作业效率及安装良率,而且提高了功率半导体器件的散热性能,该封装结构的封装工艺简单、具有实现规模化量产的可能,可提供性能较好、安装成本较低的功率半导体器件。

著录项

  • 公开/公告号CN110620094A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 芜湖启迪半导体有限公司;

    申请/专利号CN201910969687.2

  • 申请日2019-10-12

  • 分类号

  • 代理机构芜湖安汇知识产权代理有限公司;

  • 代理人孟迪

  • 地址 241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803

  • 入库时间 2024-02-19 15:57:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/42 申请日:20191012

    实质审查的生效

  • 2019-12-27

    公开

    公开

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