公开/公告号CN113994431A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-28
原文格式PDF
申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;
申请/专利号CN202180001094.2
发明设计人 J·郭;
申请日2021-03-30
分类号G11C16/30(20060101);G11C16/08(20060101);G11C16/04(20060101);G11C5/14(20060101);
代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;
代理人林锦辉
地址 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
入库时间 2023-06-19 14:01:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-18
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/30 专利申请号:2021800010942 申请日:20210330
实质审查的生效
机译: 半导体插头受三维存储器件中的保护介电层保护和形成三维存储器件的方法
机译: 用于制造磁存储器件和磁存储器件的工艺中避免在内存技术中造成等离子体损坏的集成方案
机译: 三维存储器结构的存储器开放集成方案中的阻塞氧化物