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公开/公告号CN113228181A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-06
原文格式PDF
申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;
申请/专利号CN202180001092.3
发明设计人 邓佳梁;段竺琴;石蕾;潘月松;刘艳兰;李博;
申请日2021-03-29
分类号G11C16/04(20060101);G11C8/08(20060101);G11C7/12(20060101);
代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;
代理人林锦辉
地址 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
入库时间 2023-06-19 12:07:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-10-03
授权
发明专利权授予
机译: 能够通过正常读取操作读取签名熔丝的数据的半导体存储器件以及通过正常读取操作读取半导体存储器件中的签名熔丝的数据的方法
机译: 在同步读取阶段具有突发模式访问的突发交错存储器,其中两个子阵列在异步读取阶段可以通过随机访问独立读取
机译:基于CDSE / ZnS量子点和ZnO纳米颗粒的多级电阻写入一次读取许多存储器件
机译:基于蛋白蛋白的透明和灵活的写入次读取型(WORM)存储器件
机译:通过扫描电容显微镜读取非易失性存储器件中的存储数据的读取
机译:基于硅上氧化锌的一次写入多次读取(WORM)存储器
机译:用于存储器和读取应用的超导/磁性三态纳米器件
机译:基于al / al-Rich al 2 O 3 / p-si二极管中的充电控制电流调制的双端子一次读取多次读取存储器件
机译:磁存储器上的存储器件