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公开/公告号CN113964042A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-21
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN202111070333.8
发明设计人 何云龙;马晓华;郑雪峰;陆小力;洪悦华;张方;李佳宁;郝跃;
申请日2021-09-13
分类号H01L21/34(20060101);H01L29/24(20060101);H01L29/861(20060101);
代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘长春
地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
入库时间 2023-06-19 13:57:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-01-21
公开
发明专利申请公布
机译: 异质结二极管,一种制造异质结二极管的方法和一种包括异质结二极管的电子设备
机译: 氧化镓/铜氧化镓异质结的制备方法
机译: 氧化镓/氧化镓铜异质结的制备方法
机译:<氧化镓>成功地使用氧化镓(Ga2O3)制作功率晶体管的p型层
机译:<镓氧化物>成功地制造具有用氧化镓(Ga2O3)的功率晶体管的p型层(Ga2O3)
机译:薄膜氧化镓/晶体硒异质结光电二极管覆盖的高灵敏度图像传感器
机译:刚玉结构的p型氧化铱薄膜及氧化铱/氧化镓异质结的能带排列研究
机译:具有方向性击穿的金属/氢化非晶硅/晶体硅异质结构:一种低成本,高密度的PROM二极管阵列方法。
机译:掺有氧化镓纳米颗粒/单壁碳纳米管层的透明导电氧化物膜用于深紫外发光二极管
机译:碳掺杂N型β-FeSi2 / P型Si异质结二极管的电性能
机译:3.9微米Inassb / alassb双异质结构二极管激光器,具有高输出功率和改善的温度特性