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陈贵楚; 范广涵; 陈练辉; 刘鲁;
华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510631;
AlGaInP; 发光二极管(LED); Al组分; 掺杂;
机译:AlGaInP高亮度发光二极管的梯度异质结
机译:AlGaInP高亮度发光二极管的渐变异质结
机译:使用AlGaInP / GaAs / GaInP的双异质结双极晶体管
机译:光学光谱法测定块状AlGaInP和GaInP-AlGaInP异质结带偏移的电子能带结构
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:异质结太阳能电池中间缓冲层的Cu掺杂对半导体ZnTe薄膜中p型载流子的显着影响和带隙的减小
机译:朝向六边形氮化物中的p型传导:HBN / AlGaN异质结的掺杂研究和电测量分析
机译:假晶基极 - 发射极间隔层对铍掺杂InGaas / Inalas异质结双极晶体管电流诱导退化的影响
机译:根据顶部,双异质结-藻类-p型电致发光二极管
机译:带有未掺杂的ALINP孔阻挡层的ALGAINP发光二极管
机译:具有未掺杂的AlInP空穴阻挡层的AlGaInP发光二极管
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