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InGaN/AlGaN双异质结蓝光和绿光发光二极管

     
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摘要

报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构,并研制成功发射波长分别为 430～450 nm和520～540nm的蓝光和绿光LED.据查,这是国内首次有关六方GaN基绿光LED的报道.

著录项

  • 来源
    《高技术通讯》|2000年第5期|43-45|共3页
  • 作者

    陆大成; 刘祥林; 韩培德; 王晓晖; 汪度; 袁海荣;

  • 作者单位

    中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 半导体技术;
  • 关键词

    GaN; 双异质结; 蓝光LED; 绿光LED;

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