InGaN/AlGaN双异质结构蓝光LED的电学和光学性质

摘要

研究了ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ双异质结构（ＤＨ）蓝光发光二极管（ＬＥＤ）的电学和光学性质。实验表明，器件正向偏压下的Ｉ－Ｖ特性偏离了ｐｎ结二极管的肖克莱模型的结果，并且载流子的主要输运机制与载流子隧穿有关。通过对电致发光（ＥＬ）谱的测量，得到位于２．８ｅＶ的发射峰和位于３．２ｅＶ弱发射峰，随着电流增大而均出现蓝移。对大脉冲电流下ＬＥＤ的特性的退化作了研究。