机译:基于AlGaN / AlN / InGaN / GaN的双异质结构中的电荷密度建模,包括InGaN层应变松弛
机译:具有InGaN / AlGaN超晶格应变消除层和AlGaN势垒的GaN基近紫外LED的性能改进
机译:InGaN厚度对InGaN / AlGaN双异质结构LED的辅助陷阱复合和行为的影响
机译:通过引入的InGaN层设计AlGaN / InGaN / GaN异质结构中的二维电子气
机译:MOVPE中ALN间隔层优化AlN脱落AlGaN / Aln / Ingan / GaN高电子迁移率异质结构
机译:电荷密度的增加和各种嵌入阴离子种类对层状双氢氧化物结构和煅烧特性的影响。
机译:应变松弛对在具有溅射AlN成核层的4英寸蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN绿色LED的性能的影响
机译:具有不同InGaN背势垒层和通过MOCVD生长的GaN沟道厚度的Al 0.25Ga 0.75N / AlN / GaN异质结构中的电子传输性能