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声明
第一章 绪论
1.1 GaN基HEMT的特点
1.2 GaN基异质结构的变温电学特性研究进展
1.2.1 当前GaN基异质结构研究进展
1.2.2 AlGaN/GaN异质结构变温电学特性研究进展及其意义
1.3 本文的研究内容和安排
第二章 AlGaN/GaN异质结构的理论仿真
2.1 变温下2DEG的仿真
2.1.1 2DEG的形成
2.1.2 AlGaN/GaN异质结构的2DEG仿真
2.2 AlGaN/GaN异质结构的2DEG迁移率
2.2.1 2DEG中各种散射机制的建模
2.2.2 2DEG及GaN迁移率计算
2.3 小结
第三章 AlGaN/GaN异质结构样品的制备与电学特性表征
3.1 样品的制备
3.1.1 AlGaN/GaN异质结构的生长
3.1.2 AlGaN/GaN异质结构的设计
3.1.3 测试样品的制备
3.2 电学表征方法
3.2.1 2DEG分布测试
3.2.2 2DEG低场下迁移率测试
3.2.3 2DEG密度与迁移率依赖关系表征
3.3 小结
第四章 AlGaN/GaN异质结构2DEG与迁移率的变温研究
4.1 AlGaN/GaN异质结构变温CV特性
4.1.1 2DEG界面变温特性
4.1.2 背景电子浓度的变温特性
4.1.3 CV耗尽电容与电子面密度关系
4.2 2DEG与迁移率关系的变温研究
4.2.1 研究意义
4.2.2 实验以及讨论
4.3 小结
第五章 AlGaN/GaN异质结构的高温输运特性研究
5.1 不同Al组分AlGaN/GaN异质结构高温电子输运特性
5.1.1 研究背景及意义
5.1.2 实验方案
5.1.3 实验结果及分析
5.1.4 理论分析
5.1.5 结论
5.2 不同GaN缓冲层AlGaN/GaN异质结构高温输运特性的比较
5.2.1 研究背景及内容
5.2.2 实验
5.2.3 结果与讨论
5.2.4 结论
5.3 小结
第六章 总结
致谢
参考文献
攻读硕士期间获得的成果以及参加的科研项目