机译:使用扫描电容显微镜的AlGaN / GaN / Si异质结构的缺陷相关不均匀性的表面电学特性
Wroclaw Univ Sci &
Technol Fac Microsyst Elect &
Photon Janiszewskiego St 11-17 PL-50372 Wroclaw Poland;
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Scanning capacitance microscopy; AlGaN/GaN/Si; Gallium nitride; Two dimensional electron gas; 2DEG; Surface defects;
机译:使用扫描电容显微镜的AlGaN / GaN / Si异质结构的缺陷相关不均匀性的表面电学特性
机译:扫描电容显微镜探测AlGaN / GaN异质结构的局部电子性质
机译:扫描电容显微镜探测AlGaN / GaN异质结构的局部电子性质
机译:纳米级电容和电容 - 电压曲线,用于使用扫描微波阻抗显微镜(SMIM)的Si和GaN结构的电气性能的高级表征
机译:通过扫描电容和近场扫描光学显微镜通过磷化镓铟磷化铟的电气和光学表征
机译:AlGaN / GaN异质结构上的近表面处理:纳米级电学和结构表征
机译:照明对GaN / AlGaN / GaN异质结构和异质结构场效应晶体管电特性的影响以及通过适当的表面钝化消除