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公开/公告号CN113964198A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-21
原文格式PDF
申请/专利权人 南通大学;
申请/专利号CN202111227322.6
发明设计人 王奕锦;余晨辉;俞彦伟;陈志鹏;何嘉诚;高子建;罗曼;
申请日2021-10-21
分类号H01L29/778(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构11427 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人宫建华
地址 226001 江苏省南通市崇川区啬园路9号
入库时间 2023-06-19 13:57:16
机译: 异质结场效应晶体管的基体,异质结场效应晶体管的制造方法以及异质结场效应晶体管
机译: 制造功率晶体管装置的多层结构的方法,制造用于异质结场效应晶体管装置的多层结构的方法以及基于氮化物的异质结场效应晶体管装置
机译: 制造常闭型异质结晶体管的方法
机译:常闭凹槽式AlGaN / GaN-on-Si金属氧化物半导体异质结场效应晶体管的动态导通电阻
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机译:一种基于调制掺杂异质结构的新型光电器件:演示横向电流注入激光器和结型场效应晶体管的功能
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机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:立方AlGaN / GaN异质结场效应晶体管:制造与表征
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