纳米柱LED芯片的键合工艺、LED芯片以及显示设备

摘要

本发明公开了一种纳米柱LED芯片的键合工艺、LED芯片以及显示设备，键合工艺包括如下步骤：提供芯片半成品，芯片半成品包括基层、纳米柱发光结构、外围结构以及第一导电层；提供键合基板，键合基板上设有第一键合区域和第二键合区域；在第一键合区域上设置第二导电层；在第二键合区域设置第一键合层，和/或在外围结构上设置第二键合层；将芯片半成品和键合基板重叠并键合在一起。这种纳米柱LED芯片的键合工艺在将芯片半成品和键合基板重叠时，第一导电层和第二导电层正对且间隔，使得纳米柱发光结构和第一导电层在键合时受到的压力降低，有效减小了键合时对纳米柱发光结构内的纳米柱的伤害，提升了后续器件制备的良率。