一种高迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法，TCO薄膜生长采用反应射频磁控溅射法，在室温下生长碲与钪共掺杂的氧化铟TCO薄膜；溅射用靶材为铟靶、碲靶、钪靶，溅射工作气体为氩气，反应气体为氧气；在TCO薄膜生长之前，溅射室只通入氩气，对三靶进行15‑30分钟的预溅射，去除靶材表面吸附的杂质以及表面氧化物，当TCO薄膜开始生长时，氩气和氧气经过混气室充分混合以后进入溅射室，氩气与氧气的流量之比为50:1~20:1，溅射气压为0.1~0.4 Pa；铟靶溅射功率200 W，碲靶溅射功率为20~30 W，钪靶溅射功率为1~2 W；基底沉积温度为室温，溅射时间为10~20分钟。本发明获得的TCO薄膜中的载流子迁移率高、电阻率较低，同时光透过率也高。