硅通孔阵列峰值温度和参数的优化方法及系统

摘要

本申请涉及硅通孔阵列峰值温度和参数的优化方法及系统，涉及三维集成电路领域，本申请通过输入TSV阵列设计参数范围和温度优化目标，输出优化后的TSV阵列设计参数；将优化后的TSV阵列设计参数输入到预设的TSV阵列设计参数与峰值温度映射关系模型中，计算得到横向峰值温度和纵向峰值温度；分别计算目标横向峰值温度和横向峰值温度的第一差值，以及目标纵向峰值温度和纵向峰值温度的第二差值；若第一差值和第二差值均不大于预设阈值，则将优化后的TSV阵列设计参数，以及计算得到的横向峰值温度和纵向峰值温度作为优化结果进行输出。该方法的发明和推广应用对降低三维集成电路芯片研发成本和缩短其研制周期具有重要工程意义。