浮栅的高压Ga2O3金属氧化物半导体场效应管及制备方法

摘要

本发明公开了一种浮栅的高压Ga2O3MOSFET的器件及制作方法，主要解决现有MOSFET器件击穿电压小的问题。其自下而上包括衬底、缓冲层、外延层，外延层的上方分布着一层钝化层，钝化层左右两侧分别是源电极和漏电极，中间是栅介质层，栅介质层的上方是栅电极；该栅介质层为高k介质层/电荷存储层/高k介质层的多层复合结构；该栅电极是由一个控制栅和多个浮栅组成。本发明通过多层复合栅介质层结构，并给靠近控制栅一端的浮栅到靠近漏极一端的浮栅施加逐渐减小的正向脉冲电压，不仅使得沟道电场分布均匀，抑制了沟道尖峰电场强度，提高了器件的击穿电压，还降低了制作成本和难度，可用于功率器件和高压开关器件。