液晶栅介质场效应晶体管及突触行为模拟

摘要

采用液晶E7作为栅介质,聚异靛蓝噻吩乙烯噻吩(PII-TVT)作为半导体,利用光刻/蚀刻技术制备了漏极-源极-栅极(D-S-G)共面的有机场效应晶体管器件,并测试了晶体管性能,对液晶作为栅介质应用于有机场效应晶体管进行研究.实验结果表明,器件表现出比较特别的晶体管性能,开关比达到103.通过光学显微镜观察发现,施加栅极电压后液晶发生形变,表明栅极电压对电极上的液晶分子的取向排列有较大影响.在施加脉冲栅压时,沟道电流随着脉冲栅压时间的延长而增强.利用液晶分子在电场下发生极化和迟滞作用,可一定程度上模拟突触的刺激时间依赖性.