机译:使用超小型浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管的单电子多值存储器
State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, P. O. Box 912, Beijing 100083, P. R. China;
single-electron; multiple-valued memory; nano-crystal grain; quantum dots; floating gate; MOS;
机译:使用单电子晶体管控制门-岛耦合电容以提高多值存储器的高温操作
机译:使用单电子晶体管控制门-岛耦合电容以提高多值存储器的高温操作
机译:控制栅极到岛耦合电容,用于使用单电子晶体管升高多值存储器的温度操作
机译:基于浮栅碳纳米管场效应晶体管的单电子存储器
机译:适用于大面积电子设备的自对准多晶硅栅极金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:分子浮栅单电子晶体管
机译:使用超小型浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管的单电子多值存储器
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)