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公开/公告号CN113761818A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-07
原文格式PDF
申请/专利权人 微龛(广州)半导体有限公司;
申请/专利号CN202111316697.X
发明设计人 刘森;刘海彬;关宇轩;史林森;班桂春;
申请日2021-11-09
分类号G06F30/3308(20200101);
代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人施婷婷
地址 510663 广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元
入库时间 2023-06-19 13:37:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-11
授权
发明专利权授予
机译: ESD保护器件建模方法和ESD仿真方法
机译: ESD保护元件的建模方法和ESD仿真方法
机译: 仿真电路和仿真方法
机译:系统级ESD应力仿真方法研究
机译:ESD全芯片仿真:HBM和CDM要求和仿真方法
机译:准3D仿真方法,用于比较评估触发ESD保护结构
机译:芯片包系统ESD芯片仿真方法与芯片ESD紧凑型模型
机译:一种芯片级CDM ESD保护电路建模和仿真方法和实验验证
机译:新型Multiloop(M-loop)牵引方法与无牵引ESD方法在结直肠ESD期间的解剖速度比较
机译:培养培训效果如何在救护车和仿真方法中使用闪管和仿真方法,仿真研究和仿真方法
机译:静电放电(EsD)模拟器实验(用于EsD仿真电路的某些开关/继电器的测试)