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用于等离子体辅助蚀刻金属氧化物的方法

摘要

本公开描述了用于等离子体辅助蚀刻金属氧化物的方法。方法包括用第一气体修饰金属氧化物的表面,通过配位基交换反应去除金属氧化物的顶部,以及用第二气体清洁金属氧化物的表面。

著录项

  • 公开/公告号CN113764270A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN202110734492.7

  • 发明设计人 杨建勋;杨建伦;张克正;

    申请日2021-06-30

  • 分类号H01L21/311(20060101);H01L21/67(20060101);H01L21/336(20060101);

  • 代理机构72003 隆天知识产权代理有限公司;

  • 代理人黄艳

  • 地址 中国台湾新竹市

  • 入库时间 2023-06-19 13:37:05

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