公开/公告号CN113764270A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-07
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN202110734492.7
申请日2021-06-30
分类号H01L21/311(20060101);H01L21/67(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构72003 隆天知识产权代理有限公司;
代理人黄艳
地址 中国台湾新竹市
入库时间 2023-06-19 13:37:05
机译: 用于等离子体辅助化学蚀刻的反应气体和用于在边缘上稳定地对基板进行等离子体蚀刻的方法
机译: 用于直接涂覆PMMA光学组件的离子辅助沉积工艺包括金属氧化物沉积,然后是用于施加其他金属氧化物层的等离子体辅助工艺
机译: 等离子体辅助蚀刻金属氧化物