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公开/公告号CN113708218A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-26
原文格式PDF
申请/专利权人 中国工程物理研究院应用电子学研究所;
申请/专利号CN202110800041.9
发明设计人 贺钰雯;周坤;杜维川;李弋;何林安;高松信;唐淳;
申请日2021-07-15
分类号H01S5/22(20060101);H01S5/065(20060101);
代理机构51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司;
代理人李想
地址 621000 四川省绵阳市游仙区919信箱1013分箱
入库时间 2023-06-19 13:23:06
机译: 使用表面发射型半导体激光器件的制造方法形成的VCSEL器件,平板发射型半导体激光器件的制造方法,使用该平板发射型半导体激光器件的光传输模块,光收发器模块,光通信系统
机译: 深本征氧化物约束脊波导半导体激光器
机译: 用于金属包层脊波导半导体激光器的金属化倾斜步骤是通过选择性地蚀刻通过比金具有更细的晶粒结构的部分金属化而暴露的半导体衬底表面来产生的
机译:脊波导的形状和宽度对基于InP的耦合脊波导激光阵列性能的影响
机译:平板耦合半导体激光器的探索
机译:绝缘体上硅脊波导中的平板调制侧壁布拉格光栅
机译:具有单个空间,大直径模式(邀请)的高亮度平板耦合半导体激光器
机译:平板耦合埋藏波导高功率半导体激光器和光放大器。
机译:石墨烯耦合的太赫兹半导体激光器用于增强无源频率梳状操作
机译:多纵模的快速动力学和光谱特性 半导体激光器:一种驱动,全局耦合的集合的演化 非线性模式
机译:单脊波导及其与FaBRY-pEROT谐振器的耦合:第一部分理论描述