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一种新的硅基微纳结构的修饰方法

摘要

本发明涉及一种硅基微纳结构的修饰方法,包括:提供具有微纳结构的重度掺杂硅衬底;对所述重度掺杂硅衬底进行电化学腐蚀,从而在所述微纳结构上形成多孔层;以及用碱性溶液进行清洗,从而去除所述多孔层。本发明方法只需通过一步电化学腐蚀工艺和一步碱性溶液清洗工艺即可完成。本发明方法通过精确控制电化学腐蚀工艺的过程参数,可以对已经成型的硅基微纳结构进行灵活修饰,弥补了常规微纳加工技术无法对微纳结构进行有效修饰的不足。本发明方法为功能表面的制备提供了新的思路,即通过对已经成型的硅基微纳结构进行灵活修饰来制备具有更优性能或者特殊性能的功能表面。

著录项

  • 公开/公告号CN113651290A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN202110769121.2

  • 发明设计人 郑德印;王玮;

    申请日2021-07-07

  • 分类号B81C1/00(20060101);

  • 代理机构11619 北京辰权知识产权代理有限公司;

  • 代理人张晓玲

  • 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号

  • 入库时间 2023-06-19 13:18:31

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