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一种钒掺杂单晶氧化钨电致变色和储能材料及制备方法

摘要

本发明公开了一种钒掺杂单晶氧化钨电致变色和储能材料,具有多孔单晶纳米线结构,纳米棒直径为15‑40nm,纳米线定向生长。本发明还公开了一种钒掺杂单晶氧化钨电致变色和储能材料的制备方法,以磁控溅射的氧化钨纳米颗粒为仔晶层,结合水热法定向生长获得钒掺杂密排六方结构氧化钨纳米线,本发明的纳米线以仔晶层为形核生长点沿着密排六方三氧化钨的c轴定向生长获得多孔单晶纳米线阵列,钒均匀掺杂在纳米线中,钒的掺杂引起晶面间距增大和并提高了氧空位含量,形成钒氧键,获得了优异的电致变色和储能双功能性能,可以在不同电压下实现透明和深蓝色的迅速转变,并对应电量的储存和释放,具有较大的面电容和良好的循环稳定性和倍率性能。

著录项

  • 公开/公告号CN113652753A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 合肥工业大学;

    申请/专利号CN202110947621.0

  • 申请日2021-08-18

  • 分类号C30B29/62(20060101);C30B29/32(20060101);C30B7/10(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/35(20060101);C23C18/12(20060101);G02F1/1524(20190101);

  • 代理机构34230 合肥云道尔知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人闫兴贵

  • 地址 230000 安徽省合肥市屯溪路193号

  • 入库时间 2023-06-19 13:16:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-19

    授权

    发明专利权授予

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