SiC衬底上GaN基材料的制备方法及半导体器件

摘要

本发明提供了一种SiC衬底上GaN基材料的制备方法及半导体器件，属于半导体材料制备技术领域，包括氮化物外延方法和工艺，在SiC衬底上生长BxAl1‑xN形核层；在BxAl1‑xN形核层上生长AlyGa1‑yN缓冲层；在AlyGa1‑yN缓冲层上生长GaN基材料；在GaN基材料上生长功能层。本发明提供的SiC衬底上GaN基材料的制备方法，在SiC衬底上生长BxAl1‑xN形核层和AlyGa1‑yN缓冲层，可以有效降低SiC衬底和GaN基材料间的晶格失配，提高SiC衬底上GaN基材料的晶体质量，进而提高相关器件的性能。