通过极性半导体的热释电效应调控金属/半导体肖特基结来实现红外光电探测的方法

摘要

本发明涉及通过极性半导体的热释电效应调控金属/半导体肖特基结来实现红外光电探测的方法。在极性半导体材料表面制备金属电极，在半导体表面构成肖特基结，利用紫外光激励自由电子提高半导体的红外光吸收，利用红外光激励出极性半导体的热释电电场，利用热释电电场调控异质界面的肖特基结结高来调控光电流，从而实现红外光探测。本发明操作简单，设备要求低，可实现半导体材料的大面积操作，半导体材料的表面修饰不会降低半导体材料的光响应度，可适用于多种具有极性的半导体材料。本发明的调控效果明显，器件的响应度达到了13mA/W，响应速度达到了0.5s，且器件性能具有良好的稳定性和可重复性。