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公开/公告号CN108878517A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-23
原文格式PDF
申请/专利权人 济南大学;
申请/专利号CN201810688107.8
发明设计人 张春伟;李威;李阳;李志明;岳文静;付小倩;
申请日2018-06-28
分类号H01L29/417(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构37221 济南圣达知识产权代理有限公司;
代理人董雪
地址 250022 山东省济南市南辛庄西路336号
入库时间 2023-06-19 07:21:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/417 申请日:20180628
实质审查的生效
2018-11-23
公开
机译: 肖特基结型场效应管
机译: 高压碳化硅结势垒肖特基结型场效应晶体管及其制造方法,具有肖特基栅结构
机译: 肖特基障碍物二极管(SBD)及其离场融合PN /肖特基二极管或结型障碍物肖特基(JBS)二极管
机译:常闭凹槽式AlGaN / GaN-on-Si金属氧化物半导体异质结场效应晶体管的动态导通电阻
机译:具有埋入式改进超结层的低导通电阻高压横向双扩散金属氧化物半导体
机译:具有自对准NiGe / Ge结和可大规模缩放的高k栅极叠层的肖特基源/漏锗基金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:SiC肖特基二极管在连续导通模式PFC上对超级结MOSFET的有效性
机译:石墨烯/硅肖特基结型太阳能电池
机译:三明治掺杂很大肖特基障碍和长期石墨烯/硅肖特基结太阳能电池中的稳定性
机译:用于零偏置微波探测器的n型Inp的肖特基结
机译:碳化硅(siC)肖特基二极管和siC金属氧化物半导体的脉冲电容测量