一种Split Gate结构、Power MOS器件及制作方法

摘要

本发明公开了一种Split Gate结构，包含由沟槽底部向上垂直分布于沟槽内的第一多晶硅、特征氧化物和第二多晶硅，特征氧化物上表面中部高处与两侧低处的高度差小于该Split Gate结构有效改善了breakdown和IGSS性能。本发明同时提供一种具有该Split Gate结构的Power MOS器件以及该Split Gate结构的制作方法。