MEMS压力传感器制造方法及MEMS压力传感器

摘要

本发明提供一种MEMS压力传感器制造方法及MEMS压力传感器，其中的MEMS压力传感器制造方法，包括对第一硅基体依次进行化学腐蚀和减薄处理，形成具有倾斜开孔的第一结构层；在第一结构层的最大开孔的一侧键合第二结构层，并对第二结构层进行减薄处理，形成敏感层；在敏感层上制作探测单元、焊盘以及覆盖敏感层、探测单元和焊盘的保护层；在第一结构层远离敏感层的一侧键合第二硅基体，并对第二硅基体依次进行干法刻蚀和减薄处理，形成具有规则开孔的第三结构层；在保护层上键合保护盖，保护敏感层结构，并最终形成MEMS压力传感器。利用上述发明能够利用单晶硅基底湿法腐蚀侧壁倾斜特性，通过开孔倒置键合方式扩大压力敏感膜的面积，并提高传感器整体结构强度和性能。