用于源极向下竖直半导体器件的结构和方法

摘要

本发明题为“用于源极向下竖直半导体器件的结构和方法”。本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括半导体材料区域，该半导体材料区域具有第一侧以及与该第一侧相对的第二侧。有源器件结构与该第一侧相邻，该有源器件结构包括源极区域和栅极电极。第一栅极导体在该第一侧处电连接到该栅极电极，漏极区域在该第二侧处，第二栅极导体在该第二侧处，并且贯穿半导体通孔从该第一侧朝向该侧延伸并且将该第一栅极电极电连接到该第二栅极电极。源极电极在该第一侧处电连接到该源极区域，并且漏极电极在该第二侧处电连接到该漏极区域。该贯穿半导体通孔与该源极区域和该漏极区域电隔离。该结构提供具有源极向下配置的栅极/漏极向上。