减轻由负偏压温度不稳定性导致的预烧作用的方法

摘要

一种用于减轻预烧作用以及使得能够针对包括多个问题存储器元件的器件执行启动程序的方法，其中，所存储器元件能够一旦启动就生成有用于识别的启动值响应模式，因为该响应模式依赖于所述存储器元件的物理性质，所述方法包括如下步骤：在所述存储器启动之后，向所述存储器元件写入这样的数据模式，该数据模式是之前从该存储器元件读出的响应模式的反相。因此，可以减轻由NBTI导致的PMOS晶体管退化。