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致密高介电钡钽氧氮化物陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种致密高介电钡钽氧氮化物陶瓷及其制备方法,钡钽氧氮化物陶瓷包括将钡钽氧氮化物陶瓷粉体与乙醇混合均匀,球磨后干燥并过筛,得到预烧结粉体,将预烧结粉体在加压、保护气氛条件下或者在加压、真空条件下进行放电等离子烧结,烧结温度为1200℃~1300℃,经冷却,得到陶瓷初烧结体,将陶瓷初烧结体在氨气气氛、无机械压力条件下进行二次烧结,降温冷却后,得到致密高介电钡钽氧氮化物陶瓷。本发明的制备方法周期较短,制得的致密高介电钡钽氧氮化物陶瓷致密度高、介电常数高、纯度高,有广泛的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN113387708A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国人民解放军国防科技大学;

    申请/专利号CN202110742060.0

  • 发明设计人 李端;李俊生;曾良;

    申请日2021-06-30

  • 分类号C04B35/58(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/626(20060101);C04B35/64(20060101);

  • 代理机构43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙);

  • 代理人黄丽

  • 地址 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号

  • 入库时间 2023-06-19 12:35:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-11

    授权

    发明专利权授予

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