一种基于自对准工艺的条形沟槽结构GaN垂直肖特基二极管电学性能改善方法

摘要

本发明公开了一种基于自对准工艺的条形沟槽结构GaN垂直肖特基二极管电学性能改善方法，采用标准光刻工艺在自支撑衬底GaN的正面制备光刻胶刻蚀掩膜；采用感应耦合等离子体ICP干法刻蚀工艺对自支撑衬底GaN进行对准标记刻蚀实验；采用电子束工艺在自支撑衬底GaN衬底的背面蒸镀Ti/Al/Ni/Au金属层并进行快速退火处理形成欧姆接触；采用光刻和电子束工艺在自支撑衬底GaN衬底正面制备条形金属Ni掩膜；再采用ICP干法刻蚀工艺在条形金属Ni掩膜上进行刻蚀，然后在自支撑衬底GaN正面注入Ar离子；最后在离子注入完的自支撑衬底GaN衬底正面制备Ni/Al复合金属层，形成金属‑绝缘层‑半导体结构GaN肖特基二极管。本发明能够有效减小普通垂直GaN肖特基二极管的反向漏电，提高击穿电压。