在绝缘体上硅晶片上制造基于III-V族的光电器件的方法

摘要

一种在绝缘体上硅晶片上制造基于III‑V族的光电器件的方法。所述绝缘体上硅晶片包括硅器件层、衬底以及在所述衬底与所述硅器件层之间的绝缘体层。所述方法包括以下步骤：提供器件试样，所述器件试样由多个基于III‑V族的层形成；提供所述绝缘体上硅晶片，所述晶片包括具有接合区域的空腔；将所述器件试样转印到所述空腔中，并且将所述器件试样的某一层接合到所述接合区域，使得在所述器件试样的一个或多个侧边周围留下通道；用桥波导材料填充所述通道；以及对所述器件试样、所述绝缘体上硅晶片和/或所述通道执行一个或多个蚀刻步骤，以在所述器件试样中提供基于III‑V族半导体的波导，在所述通道中提供一个或多个桥波导，并且在所述绝缘体上硅晶片中提供硅波导。