一种用于静电放电中的场效应可控硅结构

摘要

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种用于静电放电中的场效应可控硅结构，其中，包括：第一导电类型衬底和设置在第一导电类型衬底上的第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层内设置第二导电类型阱区和第一导电类型阱区，所述第二导电类型阱区与所述第一导电类型阱区相切设置，所述第二导电类型阱区内设置有第一N+区和第一P+区，所述第一N+区和所述第一P+区相切设置，所述第一导电类型阱区内设置有第二N+区和第二P+区，所述第二N+区和所述第二P+区相切设置，所述第一P+区和所述第二N+区相邻设置，所述第一P+区与所述第二N+区之间设置沟槽。本发明提供的用于静电放电中的场效应可控硅结构有利于提升ESD器件的电流能力。