Failure mode analysis; Electronic circuits; Miniaturization; Electrostatics; Electric discharges; Stresses;
机译:进场物体的静电放电(ESD)的通用模型:多次放电和进场速度的分析(转载于《电气过应力/静电放电研讨会论文集》,2000年)
机译:电气过应力和静电放电应力下MEMS和MOEMS的可靠性测试方法
机译:静电放电对基于砷化镓MESFET的器件中电超应力敏感性的影响
机译:MEMS中的静电放电/电超应力敏感性:新的失效模式
机译:非硅器件的静电放电和电气过应力故障。
机译:曲率相关的静电场作为模拟基于膜的MEMS器件的原理。回顾
机译:电流静电放电下电源晶体管隧道场效应晶体管的特点