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基于外延层的X射线检测器及其制备方法

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本文公开一种方法，其包括：在支撑在衬底(411)上的外延层(412)的第一表面(412A)上形成电触点(119B)，所述第一表面(412A)与所述衬底(411)相对；将所述外延层(412)键合至电子器件层(120)，其中所述第一表面(412A)面向所述电子器件层(120)，并且所述第一表面(412A)上的所述电触点(119B)被键合至所述电子器件层(120)的所述电触点(120X)；通过移动所述衬底(411)而暴露与所述第一表面(412A)相对的第二表面(412B)；并且在所述第二表面(412B)上形成公共电极(119A)。

著录项

公开/公告号CN113302485A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-24

原文格式PDF
申请/专利权人深圳帧观德芯科技有限公司;
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申请/专利号CN201980087441.0
发明设计人曹培炎;刘雨润;
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申请日2019-01-10
分类号G01N23/223(20060101);
代理机构
代理人
地址 518071 广东省深圳市南山区桃源街道塘朗社区信宜五路13号塘朗工业B区集悦城众创产业园52栋201
入库时间 2023-06-19 12:19:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-03-18

著录事项变更 IPC(主分类):G01N23/223 专利申请号:2019800874410 变更事项:申请人变更前:深圳帧观德芯科技有限公司变更后:深圳帧观德芯科技有限公司变更事项:地址变更前:518071 广东省深圳市南山区桃源街道塘朗社区信宜五路13号塘朗工业B区集悦城众创产业园52栋201 变更后:518000 广东省深圳市南山区招商街道沿山社区南海大道1019号南山医疗器械产业园A、B座B507

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