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刘晨阳;
太原理工大学;
多层; 石墨; SiO2; GaN; 外延层; 制备;
机译:通过MOCVD在多层石墨烯上生长的GaN外延层
机译:在非催化生长的石墨烯上成功制备GaN外延层
机译:机械研磨制备多层石墨烯及其表征及在陶瓷复合材料中的应用
机译:石墨纳米片,石墨烯和石墨烯-聚合物纳米复合材料的制备和表征。
机译:具有石墨烯量子点的GaN外延层中的光诱导掺杂
机译:GaN外延层由MOCVD在多层石墨烯上种植
机译:熔盐电解法制备Inp及相关III-V单晶和外延层的制备与表征。
机译:用于制造基于gan的外延层的单晶衬底,制造该方法的方法,包括基于gan的外延层的LED和LD
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
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