GaN epitaxial layers grown on multilayer graphene by MOCVD

机译：GaN外延层由MOCVD在多层石墨烯上种植

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Tianbao Li; Chenyang Liu; Zhe Zhang; Bin Yu; Hailiang Dong; Wei Jia; Zhigang Jia; Chunyan Yu; Lin Gan; Bingshe Xu;
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年度 2018
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2. High-quality GaN/Si(111) epitaxial layers grown with various Al_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN superlattices as intermediate layer by MOCVD [J] . Seong-Hwan Jang, Cheul-Ro Lee Journal of Crystal Growth . 2003,第1a4期

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