一种高响应度的雪崩光电二极管结构

摘要

一种高响应度的雪崩光电二极管结构涉及雪崩二极管技术领域，解决了低噪声和高倍增增益难以同时实现的问题，二极管结构为纳米线型，包括从下至上顺次设置的GaAs倍增层、窄带隙插入层和吸收层；插入层的材料为GaAs1‑xSbx，吸收层的材料为GaAs1‑ySby；或者；插入层的材料为IniGa1‑iAs，吸收层的材料为InjGa1‑jAs；i和x为固定值，吸收层的In或Sb组分由下至上线性递增。且x＞ymin,i＞jmin。本发明通过窄带隙插入层在价带形成空穴阱，捕获空穴，并在插入层和倍增层之间形成强空穴势垒以阻挡空穴，增强了雪崩区的电场强度，提高了倍增因子，降低了噪声。