存储单元的读取电压优化方法、3D存储器的控制器及其操作方法

摘要

本发明公开了一种存储单元的读取电压优化方法，存储单元选自与选定物理页对应的多个存储单元；读取电压的优化方法包括：对具有第一阈值电压的存储单元的数量进行统计，得到第一数量；对具有第二阈值电压的存储单元的数量进行统计，得到第二数量；基于第一数量、第二数量以及调节参数，设置最优读取电压；其中，根据数据保存时间、读干扰、交叉温度和编程/擦除次数的不同，设置不同的调节参数；本发明提供的存储单元的读取电压优化方法、3D存储器的控制器及其操作方法，在设置最优读取电压时，只需读取有限次数，有效降低了确定最优读取电压的时延，并且基于读干扰、编程/擦除次数等参数来设置调节参数，提高产品的准确性和可靠性。