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半导体肖特基整流器装置

摘要

构建于衬底上方的外延半导体层中的半导体肖特基整流器具有从外延层的表面延伸的阳极结构及阴极结构。所述阳极接触结构具有在所述外延层附近的沟槽结构及覆盖有栅极氧化物层的垂直侧壁表面。所述阴极结构进一步包括邻近所述栅极氧化物层的多晶硅元件。

著录项

  • 公开/公告号CN113193035A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 达尔科技股份有限公司;

    申请/专利号CN202110041612.5

  • 发明设计人 K·赵;J·黄;

    申请日2021-01-13

  • 分类号H01L29/06(20060101);H01L29/872(20060101);H01L29/41(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人陈甜甜

  • 地址 美国德克萨斯州

  • 入库时间 2023-06-19 12:02:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 专利申请号:2021100416125 申请日:20210113

    实质审查的生效

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