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用于改进沟槽屏蔽式半导体装置和肖特基势垒整流器装置的结构和方法

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摘要

本发明说明了用于改进沟槽屏蔽式功率半导体装置等的性能的各种结构和方法。

1. 用于改进沟槽屏蔽式半导体装置和肖特基势垒整流器装置的结构和方法 [P] . 中国专利： CN102326256B . 2015.07.01
2. 用于形成具有肖特基势垒结构的沟槽半导体器件的方法 [P] . 中国专利： CN110797264A . 2020-02-14
3. - Structures and methods for improving trench-shielded semiconductor devices and Schottky barrier rectifier devices [P] . 韩国专利： KR101712038B1 . 2017-03-13

机译： -用于改善沟槽屏蔽半导体器件和肖特基势垒整流器器件的结构和方法
4. Structures and Methods for Improving Trench-Shielded Semiconductor Devices and Schottky Barrier Rectifier Devices [P] . 美国专利： US2010207205A1 . 2010-08-19

机译：用于改善沟槽屏蔽半导体器件和肖特基势垒整流器器件的结构和方法
5. Method for improving their structure and the Schottky barrier rectifier devices and semiconductor devices which are shielded trench [P] . 日本专利： JP2012518292A . 2012-08-09

机译：改善其结构的方法以及屏蔽沟槽的肖特基势垒整流器器件和半导体器件