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Method for improving their structure and the Schottky barrier rectifier devices and semiconductor devices which are shielded trench

机译：改善其结构的方法以及屏蔽沟槽的肖特基势垒整流器器件和半导体器件

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摘要

It is described how the various structures and to improve the performance of power semiconductor devices or the like that is a trench shield.

机译：描述了各种结构以及如何改进作为沟槽屏蔽的功率半导体器件等的性能。

公开/公告号JP2012518292A

专利类型
公开/公告日2012-08-09

原文格式PDF
申请/专利权人フェアーチャイルドセミコンダクターコーポレイション;
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申请/专利号JP20110551098
发明设计人グレッブス、トーマスイー．;ベンジャミン、ジョン;プロブスト、ディーンイー．;ラインハイマー、マーク;ドルニー、ゲーリー;イェディナック、ジョセフ;
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申请日2010-02-02
分类号H01L29/06;H01L29/872;H01L29/47;G03F1/68;G03F1/70;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 17:42:25