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机译：用于改善沟槽屏蔽半导体器件和肖特基势垒整流器器件的结构和方法
公开/公告号US2010207205A1
专利类型
公开/公告日2010-08-19
原文格式PDF
申请/专利权人 THOMAS E. GREBS;MARK RINEHIMER;JOSEPH YEDINAK;DEAN E. PROBST;GARY DOLNY;JOHN BENJAMIN;
申请/专利号US20090389335
发明设计人 THOMAS E. GREBS;MARK RINEHIMER;DEAN E. PROBST;GARY DOLNY;JOHN BENJAMIN;JOSEPH YEDINAK;
申请日2009-02-19
分类号H01L27/088;G03F1/00;H01L21/8234;H01L21/336;
国家 US
入库时间 2022-08-21 18:56:12
机译： -用于改善沟槽屏蔽半导体器件和肖特基势垒整流器器件的结构和方法
机译： 改善沟槽屏蔽半导体器件和肖特基势垒整流器器件的结构和方法
